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公司簡介


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SK hynix 介紹

公司簡介

SK海力士,前身為1983年成立的現代電子產業株式會社,1996年正式在韓國上市,1999年收購LG半導體,2001年從現代集團分離出來,更名為(株)海力士半導體。
2004年10月將系統IC業務出售給花旗集團,成為專業的存儲器制造商。
SK海力士致力于生產以DRAM、NAND Flash & CIS非存儲器為主的半導體產品。
目前在韓國有1條8英寸晶圓生產線和2條12英寸生產線,在中國無錫有一條12英寸生產線。
SK海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成長為世界第六大半導體企業。
目前在世界各地設有銷售法人和辦事處。
SK海力士穩固地立足于以DRAM和閃存為主的半導體存儲器領域,通過產品種類多樣化,包括涉足CIS商業領域等策略,正逐步成長為綜合性的半導體設備供應商。

公司歷程

  • 1983.02 創立現代電子株式會社
  • 1996.12 公司股票上市
  • 1999.10 合并LG半導體,成立現代半導體株式會社
  • 2001.03 公司更名為(株)海力士半導體
  • 2001.08 完成與現代集團的最終剝離
  • 2003.04 宣布與STMicroelectronics公司簽定合作生產NAND閃存的協議
  • 2003.12 宣布與茂德科技簽署長期的戰略性MOU
  • 2004.07 獲得公司成立以來最大的季度銷售利潤
  • 2005.07 提前終止企業重組完善協議
  • 2006.10 海力士-意法半導體竣工(無錫工廠)
  • 2007.04 在韓國清州動土建造300mm fab
  • 2007.03 任命Jong-Kap Kim作為新會長及執行總裁
  • 2007.12 成功發行約6億美元大規模海外債券
  • 2008.05 宣布與臺灣茂德科技簽訂全面合作合約
  • 2008.08 清州300mm專用第3工場竣工
  • 2009.02 成功開發世界頂尖44nmDDR3 DRAM
  • 2010.06 中國海太半導體封裝測試項目竣工
  • 2010.09 入選道瓊斯可持續發展世界指數
  • 2011.07 與東芝簽署MRAM聯合開發協議
  • 2012.02 SK電訊收購海力士
  • 2012.05 公司名稱正式變更為SK海力士株式會社
  • 2012.06 清州建立M12工廠
  • 2012.06 收購 Ideaflash S.r.l , 于歐洲建立閃存研發中心
  • 2012.06 與IBM簽署聯合開發PCRAM的協議
  • 2013.02 任命Park Sung Wook為新任CEO
  • 2013.06 與Rambus簽署了專利許可協議
  • 2013.07 與三星電子簽署了交叉許可協議
  • 2014.05 與Violin Memory的PCle Card部門合并
  • 2014.06 與Softeq Development FLLC的固件部門合并
  • 2014.09 于中國四川省重慶市建立后端線
  • 2014.12 與東芝簽署了聯合開發納米壓印光刻諒解備忘錄
  • 2015.08 利川M14竣工
  • 2016.12 公開在忠清北道青州市建立晶圓廠的計劃
  • 2017.04 開發72層3D NAND閃存

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